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TLJS686M006R1500
2022-06-13
TLJS686M006R1500_TLJS686M006R1500导读
它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
TAJD107K016RNJ
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
。·用作无触点开关：利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开关电源等。
TAJV477M010RNJ
。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
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