TAJC685K035RNJ
2022-05-09
TAJC685K035RNJ_TAJC685K035RNJ导读
1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
TAJE686K025RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TLJR156M010R2000
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。
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