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TAJD225K050RNJ
2022-04-28
TAJD225K050RNJ_TAJD225K050RNJ导读
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
TAJC335M035RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
TLJS476M006R1500
P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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