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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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TAJB107M006RNJ

2022-03-07

TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ导读

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。


TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ


TAJB107M010RNJ

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

TAJA104K035RNJ TAJA104K050RNJ TAJA104M035RNJ TAJA104M050RNJ TAJA105K016RNJ TAJA105K020RNJ TAJA105K025RNJ TAJA105K035RNJ TAJA105K050RNJ 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。


TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ


TAJB156K010RNJ

040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。

TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ


]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。


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