公司动态详情返回动态列表>
TAJE476K025RNJ
2022-05-30
TAJE476K025RNJ_TAJE476K025RNJ导读
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
TAJD157K016RNJ
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
TLJP476M006R0900
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
相关资讯
