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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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1N4148

2022-07-19

1N4148_D041导读

代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。


1N4148_D041


1N4148W-7-F

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A 。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A 。

BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。


1N4148_D041


SOD-323

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 。

BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYJ32520A BYH332 BYH332-X BYP333 BYT333 。

BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 。

1N4148_D041


3,减小栅极充电峰值电流。 2,防止震荡,一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感,在电压突变的情况下,可能与栅极电容形成LC震荡,串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果。MOS管是压控型,有的情况下,为什么还需要在G极串联一个电阻呢? 1,减缓Rds从无穷大到Rds(on)。


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