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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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060347R5

2022-01-12

060347R5%_060347R5%导读

MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。

这要从MOS的工艺和结构说起,不管是MOS还是二极管,都是由半导体材料构成,我们都知道二极管是由一对PN结构成,见下图,P型区对应二极管的阳极,N型区对应二极管的负极。


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075N15N

01N60J 02012.2R5% 020-354-901 020N03LS 。

02N60C3 02N60J 03151-0041-01 032FB 033SB 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。


060347R5%_060347R5%


060310K1%

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

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开关只有两种状态通和断,三极管和MOS管工作有三种状态,1、截止,2、线性放大,3、饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加)。

]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。


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