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TLJF337M006R0300
2022-06-14
TLJF337M006R0300_TLJF337M006R0300导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
TAJC106M020RNJ
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用。
TAJV108K004RNJ
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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