TAJC106K016RNJ
2022-04-19
TAJC106K016RNJ_TAJC106K016RNJ导读
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。
TAJV227K016RNJ
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
TAJA684M050RNJ
1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
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