FDC3601N
2021-09-10
FDC3601N_RDS035L03-TB导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电，从而带动电机运转。
IRF9910TRPBF
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
Felix Zandman在他的回忆录中写道，“很多人认为这个名称听上去很古怪，但是对于我来说，每次听到它，我就会想起我的外婆，想起她赋予我和其他人的力量，想起东欧那些被永远抹去的犹太社区。为什么Felix Zandman将他的公司命名为Vishay？因为他的外婆出生在Vishay，这是一个立陶宛小村庄的名字，以纪念在大屠杀中丧生的家族成员。” 。
AO4882
MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
饱满区（UDS>UGS-UT）在上述三个区域保卫的区域即为饱满区，也称为恒流区或放大区。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中，就是工作在截止区和击穿区两个区。 。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内，漏极电流近似为一个常数。当UDS加大道必定数值今后，漏极PN结发生击穿，漏电流疾速增大，曲线上翘，进入击穿区。
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
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