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1SMB5932B-13
2022-07-27
1SMB5932B-13_DO-214导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
74AUP1G02FX4-7
BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。
BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A 。
BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A 。
BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A 。
DFN1006
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 。
BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
2，防止震荡，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电压突变的情况下，可能与栅极电容形成LC震荡，串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果。MOS管是压控型，有的情况下，为什么还需要在G极串联一个电阻呢？ 1，减缓Rds从无穷大到Rds(on)。 3，减小栅极充电峰值电流。
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