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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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054NE8N

2022-01-04

054NE8N_054NE8N导读

简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的,输出电流越大(为了防止过流烧坏MOS管,控制器有限流保护),电机扭矩就强,加速就有力,所以MOS管在电动车控制器中起到非常重要的作用。

针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。


054NE8N_054NE8N


060322K5%

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

04023.3K1% 04023.6K5% 040233R5% 0402470K5% 040247K1% 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。


054NE8N_054NE8N


1.5KE130CA-E3/73

03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

024N06N 028N08N 02CZ10 02DZ24-Y(TPH3 02DZ24-Y(TPH3,F) 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

054NE8N_054NE8N


NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。


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