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TAJC685K020RNJ
2022-05-09
TAJC685K020RNJ_TAJC685K020RNJ导读
所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。
TLJR226M006R3500
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
TAJC477K002RNJ
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
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