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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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NCE8205B

2021-07-13

NCE8205B_NCE60P65K导读

台积电是只有代工,没有自己品牌IC产品的。三星和英特尔都有自己品牌的IC产品,但也为其它企业代工。世界上也有一些IC企业,在特定的行业里市场占有率高,而IC工厂的制程工艺并不高,成本也不高,这些企业是不用给别家代工的,自己生产自己设计的IC就够。

它们的各种开关动作几乎是一致,当然烧坏时,肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分,差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。


NCE8205B_NCE60P65K


NCE2301AF

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。


NCE8205B_NCE60P65K


NCEP035N85D

MOS管3306产品主要参数漏源极电压:60V 栅源电压:±25V 连续漏电流:80A/60A 脉冲漏电流:300A 雪崩电流:21.5A 雪崩能量:462.25MJ。

NCE4618SP NCE3420 NCE2007N NCE2004NE NCE2008E 。

NCE6080K产品特点 VDS=60V,ID =80A RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V 超低RDSON高密度电池设计 稳定性好,均匀性好,EAS高 良好的散热包装。

一般特征 ● V DS = 30V,I D = 95A R DS(ON) <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS(ON) <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计,超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装,散热效果好。

NCE8205B_NCE60P65K


NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。


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