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TPC8214-H
2021-12-13
TPC8214-H_TPC8214-H导读
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
US6K4
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
NTJD4401NT1G PMGD280UN PMGD8000LN QM2518C1 SI1902DL-T1-GE3 。
SMC8810AW-TRG SPN8822ATS8RG SSF8205A SSM9926GEO SSM9928O 。
D3M ECH8602M ECH8653 ECH8656 MC3602 。
SI9926BDY-T1-E3
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
电芯相当于锂电池的心脏，而锂电池保护板主要由保护芯片（或管理芯片）、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。
锂电池主要由两大块构成，电芯和锂电池保护板PCM。
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