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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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GD32F105VCT6

2021-10-25

GD32F105VCT6_SI4936CDY-T1-E3导读

而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势,与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续品质和稳定供货。

MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。


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SI4500BDY-T1-E3

图四类MOSFET和它们的图形符号。功率MOSFET普通很少选用P沟道,由于空穴的迁移率比电子的迁移率低,相同的沟道尺寸,P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。 。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类,MOS管能够分为:P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。。

原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。

MOS管的导电沟道,能够在制作过程中构成,也能够通过接通外部电源构成,当栅压等于零时就存在沟道(即在制作时构成的)称为耗尽型,在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。。


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FDS6900-NL

GD32F103RBT6 GD32F103RET6 GD32F103VET6 GD32F103VCT6 GD32F103ZET6 。

GD32F103C8T6 GD32F103RCT6 GD32F103CBT6 GD32F103C8T6 。

GD32F303VGT6 GD32F330CBT6 GD32F330C8T6 GD32F330G8U6 GD32F330RBT6 。

GD32F205ZET6 GD32F205VKT6 GD32F205VCT6 GD32F207VET6 GD32F207VGT6 。

GD32F105VCT6_SI4936CDY-T1-E3


NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

MOS管在保护板中的作用是:1、检测过充电,2、检测过放电,3、检测充电时过电电流,4、检测放电时过电电流,5、检测短路时过电电流。


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