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TAJD686K025RNJ
2022-05-10
TAJD686K025RNJ_TAJD686K025RNJ导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
TAJE477K010RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TAJD475K050RNJ
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
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