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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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03P2J-T1-AZ

2021-12-29

03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ导读

除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外,南山电子还提供风华阻容感,长晶二三极管MOS管,爱普生有源无源晶振等。

我们回过头看下MOS结构,从下图(1)可以看出,MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2,SiO2不导电,所以驱动极G基本不走电流,因此MOS功耗比较低,是电压型驱动器件。


03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ


0603330R5%

036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

04023.3K1% 04023.6K5% 040233R5% 0402470K5% 040247K1% 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。


03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ


06N60

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。

03P2J-T1-AZ_03P2J-T1-AZ


]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。


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