TAJB226K016RNJ
2022-03-30
TAJB226K016RNJ_TAJB226K016RNJ导读
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？。MOS管和IGBT管的区别。
TAJB156M006RNJ
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
TLJA686M010R1500
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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