公司动态详情返回动态列表>
TAJC476M010RNJ
2022-05-09
TAJC476M010RNJ_TAJC476M010RNJ导读
图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其它电极间是绝缘的。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
TAJB106K020RNJ
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
TAJA105K016RNJ
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
相关资讯
