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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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TLJB157M010R0500

2022-05-31

TLJB157M010R0500_TLJB157M010R0500导读

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。


TLJB157M010R0500_TLJB157M010R0500


TLJN226M010R3800

在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

必要的时候可以在R4上面并联加速电容。R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。


TLJB157M010R0500_TLJB157M010R0500


TAJB106M010RNJ

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

TLJB157M010R0500_TLJB157M010R0500


t0-t1:C GS1 开始充电,栅极电压还没有到达V GS(th),导电沟道没有形成,MOSFET仍处于关闭状态。


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