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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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BYT337

2021-10-12

BYT337_SI4974DY-T1-E3导读

为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望,一个简单的名字,它的背后承载着许多不为人知的故事……。电子行业中有许多的知名品牌,每一个品牌就如同人名,其来源与命名都带有各自独特的风格。它们有今时今日的成功,创始人功不可没。

而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管,其实内部由成千上万个小mos管并联而成,大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧,其实真没那么容易,目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。


BYT337_SI4974DY-T1-E3


BYN3630

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

。MOS管的导电沟道,能够在制作过程中构成,也能够通过接通外部电源构成,当栅压等于零时就存在沟道(即在制作时构成的)称为耗尽型,在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。


BYT337_SI4974DY-T1-E3


HAT2256R

N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底,在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N+区,然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层,然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层,暴露N+区,较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜,这三块金属膜构成了MOS管的三个电极,分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。

MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

例如电子燃油喷射系统、制动防抱死控制、防滑控制、牵引力控制、电子控制悬架、电子控制自动变速器、电子动力转向等,另一类是车载汽车电子装置,车载汽车电子装置是在汽车环境下能够独立使用的电子装置,它和汽车本身的性能并无直接关系。。

BYT337_SI4974DY-T1-E3


MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压,4.2A电流,SOT-23封装的P沟道MOS管。。

电动车锂电池能正常工作,很大程度上得益于锂电池保护板。


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