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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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TLJK476M004R1500

2022-06-07

TLJK476M004R1500_TLJK476M004R1500导读

这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流(当然和其它因素有关,如热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻,也就是导通电阻。


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TAJA225K025RNJ

·对微弱的信号进行放大:基极输入一个很小的信号就会引起集电极很大的电流变化,这是电子电路中一个最重要也是最核心的部分。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

截止状态:三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时便失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。


TLJK476M004R1500_TLJK476M004R1500


TAJC337M004RNJ

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

TLJK476M004R1500_TLJK476M004R1500


]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。


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