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TAJE477M006RNJ
2022-05-30
TAJE477M006RNJ_TAJE477M006RNJ导读
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
TAJE157M020RNJ
在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TAJB336K010RNJ
另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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