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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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06N60

2022-01-19

06N60C3_06N60C3导读

而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势,与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续品质和稳定供货。

我们回过头看下MOS结构,从下图(1)可以看出,MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2,SiO2不导电,所以驱动极G基本不走电流,因此MOS功耗比较低,是电压型驱动器件。


06N60C3_06N60C3


06N03LA

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。


06N60C3_06N60C3


09N03LA

03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

06N60C3_06N60C3


]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。

比如以前写过一篇文章:《电池保护1:锂电池过放保护原理UVP》,就有介绍,有的电池保护板,在锂电池过放后,会开启保护功能:关闭放电MOS。当插上充电器后,就利用MOS体二极管,使得电路导通,系统正常工作。在另一些场景下就是利用这个二极管导电的特性,让系统正常工作。


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