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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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049N03MS

2021-12-30

049N03MS_049N03MS导读

MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管,MOS管的主要被关注点是耐压,耐流值以及开关速度。

所以管子的稳定性和制造工艺密不可分,差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致,当然烧坏时,肯定有先承受不了的小管先坏。


049N03MS_049N03MS


1.5KA15A-E3/54

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

01N60J 02012.2R5% 020-354-901 020N03LS 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。


049N03MS_049N03MS


09N7

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

049N03MS_049N03MS


NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。


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