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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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TLJR476M006R3200

2022-06-09

TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200导读

而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管,其实内部由成千上万个小mos管并联而成,大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧,其实真没那么容易,目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。


TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200


TLJA107M004R0500

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。


TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200


TAJB225K016RNJ

。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管,或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200


NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。


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