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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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BYM4612

2022-07-04

BYM4612_SOP8导读

代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。


BYM4612_SOP8


BYF3312

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。


BYM4612_SOP8


TSOP-6/SOT23-6

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 。

BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYM4612_SOP8


至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。


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