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TAJE477K010RNJ
2022-05-30
TAJE477K010RNJ_TAJE477K010RNJ导读
。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
TAJC475M025RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
必要的时候可以在R4上面并联加速电容。R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TLJG686M006R0800
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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