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TAJD106M035RNJ
2022-04-27
TAJD106M035RNJ_TAJD106M035RNJ导读
MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。
TAJC336M006RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
TAJE687M010RNJ
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
。N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。
t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
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