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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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GD32F105VGT6

2021-10-25

GD32F105VGT6_SP8K1TB导读

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出温度系数(TCR)低至 2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电,从而带动电机运转。


GD32F105VGT6_SP8K1TB


BYM6313

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关,减少导电损耗 4、高雪崩电流。

图四类MOSFET和它们的图形符号。功率MOSFET普通很少选用P沟道,由于空穴的迁移率比电子的迁移率低,相同的沟道尺寸,P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。 。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类,MOS管能够分为:P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。

MOS管的导电沟道,能够在制作过程中构成,也能够通过接通外部电源构成,当栅压等于零时就存在沟道(即在制作时构成的)称为耗尽型,在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。


GD32F105VGT6_SP8K1TB


SUF1002

GD32F205ZET6 GD32F205VKT6 GD32F205VCT6 GD32F207VET6 GD32F207VGT6 。

GD32F105RGT6 GD32F105R8T6 GD32F105VET6 GD32F107VGT6 GD32F107ZGT6 。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020 BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

GD32F105VGT6_SP8K1TB


而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。

而锂电池保护板的主要作用:1过充电保护, 2短路保护, 3过电流保护,4过放电保护, 5正常状态。


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