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深圳市百域芯科技有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | TVS二极管 | 逻辑IC | 存储IC | 电源IC | 驱动IC | 稳压IC
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1N4148W

2022-07-19

1N4148W_SOD-123导读

代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。


1N4148W_SOD-123


1N4148W-7-F

BYF32038 BYP32036 BYS32042 BYH32085A BYP32091A 。

BYH337 BYP337 BYS338 BYD3319 BYH335 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYM334 BYM333 BYP331 BYE3323 BYF3312 。


1N4148W_SOD-123


SOD123

BYJ32520A BYH332 BYH332-X BYP333 BYT333 。

BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 。

BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

1N4148W_SOD-123


至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。


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