0372DP1
2021-12-29
0372DP1_0372DP1导读
小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
1.5KE100A-E3/73
036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
060315K5%
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。
NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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