公司动态详情返回动态列表>
TAJE227M010RNJ
2022-05-18
TAJE227M010RNJ_TAJE227M010RNJ导读
这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。
TAJB224K050RNJ
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
TAJD337K002RNJ
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
相关资讯
