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TLJN476M004R4000
2022-06-07
TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000导读
。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
TLJA107M006R0800
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
TAJC476M020RNJ
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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